過電壓保護(hù)器發(fā)展所需要的功能材料十分廣泛，其中包括金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì)、磁性體、生物體等等。功能材料的開發(fā)是基礎(chǔ)。

在這些過電壓保護(hù)器所需要的功能材料中，半導(dǎo)體是代表性的硅和鍺，是最常見的半導(dǎo)體材料。硅資源豐富，用途廣泛。但為了滿足開發(fā)新型傳感器的需要，人們正在研究各種新型半導(dǎo)體材料，如GaAs等復(fù)合半導(dǎo)體材料。

利用超晶格的結(jié)構(gòu)可以調(diào)整材料的禁帶寬度，這就揭開了制造超導(dǎo)材料的秘密，就能比較容易地研制出液氮溫度下或在較高溫度下的實用超導(dǎo)材料，那么制成人們夢寐以求的工作溫度較高的超導(dǎo)量子干涉探測器就為期不遠(yuǎn)了。